四探针半导电阻测试仪
一、概述
best-300c型材料电导率测试仪是运用四探针测量原理测试试导体、半导体材料电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 a.s.t.m 标准。
仪器成套组成：由主机、选配的四探针探头和测试台等三部分组成。
主机主要由数控恒流源，高分辨率adc、嵌入式单片机系统组成。自动/手动量程可选；电阻率、方阻、电阻测试类别快捷切换：仪器所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入，简便可靠；具有零位、满度自校功能；测试结果由数字表头直接显示。本测试仪采用可充电锂电池供电，适合手持式变动场合操作使用！
探头选配：根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。有高耐磨碳化钨探针探头，以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；也有球形镀金铜合金探针探头，可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ito膜）或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。换上四端子测试夹具，还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量。配探头，也可测试电池极片等箔上涂层电阻率方阻。
仪器具有测量范围宽、精度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、外形美观、使用简便等特点。
仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。
二、技术参数
1. 测量范围、分辨率（括号内为拓展量程，可定制）
电 阻：10.0×10-6 ～ 200.0×103 ω, 分辨率1.0×10-6 ～ 0.1×103 ω
（1.0×10-6 ～ 20.00×103 ω, 分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103 ω）
电 阻 率：10.0×10-6 ～ 200.0×103 ω-cm 分辨率1.0×10-6 ～ 0.1×103 ω-cm
（1.0×10-6 ～ 20.00×103 ω-cm 分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103 ω-cm）
方块电阻：50.0×10-6 ～ 1.0×106 ω/□ 分辨率5.0×10-6 ～ 0.5×103 ω/□
（5.0×10-6 ～ 100.0×103 ω/□ 分辨率0.5×10-6 ～ 0.1×103 ω/□）
2. 材料尺寸(由选配测试台和测试方式决定)
直 径： szt-a圆测试台直接测试方式 φ15～130mm，手持方式不限
szt-b/c/f方测试台直接测试方式180mm×180mm，手持方式不限.
长(高)度： 测试台直接测试方式 h≤100mm, 手持方式不限.
3. 量程划分及误差等级
4. 数字电压表：
⑴量程： 20.00mv
⑵误差：±0.2%fsb±2lsb
⑶大分辨力：1.0µv
显示: 4位数字显示，小数点自动显示
5. 数控恒流源
⑴电流输出：直流电流0.1µa～1.0a，系统自动调整。
⑵误差：±0.2%fsb±2lsb
6. 四探针测试探头：
有选配的型号确定，详见《不同半导体材料电阻率/方阻测试的四探针探头和测试台选配方法》
7. 电源：
功 耗：< 15w，输入:220v±10% 50hz±2%
8. 本仪器工作条件为：
温 度： 0-40℃
相对湿度： ≥60%
工作室内应无强电磁场干扰，不与高频设备共用电源。
9. 外形尺寸：
主机 245mm（长）×220 mm（宽）×95mm（高）
三、工作原理*****电阻率与方阻概念******：
电阻率：当某种材料截成正方体时，平行对面间的电阻值只与材料的类别有关，而与正方形边长无关，这种单位体积的阻值可反映材料的导电特性，称为电阻率（体电阻率），记为：ρ，标准单位：ω-m,常用单位ω-cm.
方块电阻：薄膜类导体、半导体材料截成薄层正方形时，平行对边间的电阻值只与材料的类别（电阻率）和厚度有关，而与正方形边长无关，这种单位面积的对边间的阻值可反映薄膜的导电特性和厚度信息，称为方块电阻，简称方阻。记为：r□，标准单位：ω/□
3.1. 测试原理：直流四探针法测试原理简介如下：
[1]体电阻率测量：
当1、2、3、4四根金属探针排成一直线时，并以一定压力压在半导体材料上时，在1、4两根探针间通过电流i，则在2、3探针间产生电位差v。
（a）块状或棒状样品体电阻率测量：
由于块状或棒状样品外形尺寸远大于探针间距，符合半无穷大的边界条件，电阻
率值可以直接由（3—1）式求出。
（b）薄片电阻率测量 (以s1=s2=s3=1mm时，c≈0.628 cm为例)。
薄片样品因为其厚度与探针间距相近，不符合半无穷大边界条件，测量时要附加样品的厚度、形状和测量位置的修正系数。其电阻率值可由下面公式得出：
[3] 特薄膜或薄层的电阻率测量
由于薄片或膜，查表厚度修正系数误差较大，可按式（3-5）和（3-6），忽略形状修正可得薄膜电阻率ρ= r□*w, r□单位ω/□， w单位cm , ρ单位ω-cm （3-7）
四、使用方法
best-300c测试仪能够测量半导体材料体电阻率ρ、方块电阻（薄片电阻率）r口以及体电阻r，测量时需调整相应的修正系数和选择相应的功能。
本产品不但提供了电阻率ρ、方块电阻r口以及体电阻r测试的基本修正系数设定，还提供了产品厚度g、外形和测试位置的修正系数d设定，*的提高了测试精度。测试类别的快捷选择方式，方便了用户同时测试多个参数，提高测试效率。
4.1 操作概述：
（1）测试准备：
对于电阻器类样品，用四端子测试线按照图5-1连接好样品，对于半导体材料，测试前表面应进行必要的处理。如图5-2，对于硅材料要进行喷砂或清洁处理，对于薄膜类的要保持表面清洁，必要的要进行清洁。样品放在平整的台面上。将测试探头的插头与主机的输入插座连接起来，连接好探头和主机。将电源开关置于开启位置，数字显示亮。仪器要预热15分钟以上，增加读数稳定性。
开机默认的状态是测量模式，可按“模式”键“”切换到设定模式。仪器只有在设定模式下才接受相关参数设定功能。开机默认设定类别为电阻测试修正系数，可以根据需要切换设定系数类别和修改当前默认参数值。
在设定模式下仪器要设定的参数类别，由 “类别选择”键来选择，由显示窗口左位红色数码管显示；参数值由显示窗口右四位数码配合显示窗右侧单位指示来显示；参数大小由数码键盘输入。具体参数类别、符号、含义、取值范围
（3）测量数据
在设定模式下（设定完毕，保存好数据后），选择测量类别（电阻率ρ、方块电阻（薄片电阻率）r口或体电阻r中三选一，切换仪器到“测量”模式，窗口左侧“测量”模式灯亮。电阻测量,注意良好接触，电压测试端在内侧；半导体参数测试，将探针与样品良好接触，注意压力要适中；由数字显示窗直接读出测量值。
注意！测量状态中，电流量程默认为自动方式，也可调整为手动方式，手动方式下，电流量程适合的，仪器会稳定显示数据，电流量程不适合的会给出超量程或欠量程闪烁提示，对于超量程，说明电流过大，要调到较小电流档；对于欠量程，说明电流过小，要调到较大电流档。
4.2.设定修正系数注意事项：参照表5.1和附表1和附表2
(1) 电阻测量:
设定r=1.000。，其他可以忽略。只读结果。
(2) 棒状、块状样品电阻率测量，符合半无穷大的边界条件:
设定电阻率基本系数c，参照表5.1， 厚度修正g=1.000,形状位置修正d=1.000，只读结果。
(3) 薄片电阻率测量:
当薄片厚度与针距比w/s>0.5时， 设定电阻率基本系数c，参照表5.1，厚度修正g<1.000,形状位置修正d<1.000,具体值g（w/s）和d（d/s）要查附表1和附表2，只读结果。
当薄片厚度与针距比w/s<0.5时,可以先测方阻，再人工计算厚度和位置形状修正。
电阻率ρ=r口×w×d(d/s),式中w：样品厚度（cm）, d(d/s)查附表2。
(4) 方块电阻测量:
设定电阻率基本系数□：，参照表5.1，厚度修正g忽略，形状位置修正d<1.000, d（d/s）要查附表2，只读结果。
（3）数据输入规则说明及示例
(a) 修正系数
在半导体类电阻率或方阻测试中，如果修正系数计算值远小于1，为了显示读取更多有效数字，数据输入可采用准科学记数法，即有效数字取0.100≤x≤1.000，指数（单位）取值10-3～103。
修正系数设定示例：注意x为 ρ，口，r，g，d，分类界限值中的任意一个。
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仪器成套组成：由主机、选配的四探针探头和测试台等三部分组成。
主机主要由数控恒流源，高分辨率adc、嵌入式单片机系统组成。自动/手动量程可选；电阻率、方阻、电阻测试类别快捷切换：仪器所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入，简便可靠；具有零位、满度自校功能；测试结果由数字表头直接显示。本测试仪采用可充电锂电池供电，适合手持式变动场合操作使用！
探头选配：根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。有高耐磨碳化钨探针探头，以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；也有球形镀金铜合金探针探头，可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ito膜）或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。换上四端子测试夹具，还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量。配探头，也可测试电池极片等箔上涂层电阻率方阻。
仪器具有测量范围宽、精度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、外形美观、使用简便等特点。
仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。
二、技术参数
1. 测量范围、分辨率（括号内为拓展量程，可定制）
电 阻：10.0×10-6 ～ 200.0×103 ω, 分辨率1.0×10-6 ～ 0.1×103 ω
（1.0×10-6 ～ 20.00×103 ω, 分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103 ω）
电 阻 率：10.0×10-6 ～ 200.0×103 ω-cm 分辨率1.0×10-6 ～ 0.1×103 ω-cm
（1.0×10-6 ～ 20.00×103 ω-cm 分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103 ω-cm）
方块电阻：50.0×10-6 ～ 1.0×106 ω/□ 分辨率5.0×10-6 ～ 0.5×103 ω/□
（5.0×10-6 ～ 100.0×103 ω/□ 分辨率0.5×10-6 ～ 0.1×103 ω/□）
2. 材料尺寸(由选配测试台和测试方式决定)
直 径： szt-a圆测试台直接测试方式 φ15～130mm，手持方式不限
szt-b/c/f方测试台直接测试方式180mm×180mm，手持方式不限.
长(高)度： 测试台直接测试方式 h≤100mm, 手持方式不限.
3. 量程划分及误差等级
4. 数字电压表：
⑴量程： 20.00mv
⑵误差：±0.2%fsb±2lsb
⑶大分辨力：1.0µv
显示: 4位数字显示，小数点自动显示
5. 数控恒流源
⑴电流输出：直流电流0.1µa～1.0a，系统自动调整。
⑵误差：±0.2%fsb±2lsb
6. 四探针测试探头：
有选配的型号确定，详见《不同半导体材料电阻率/方阻测试的四探针探头和测试台选配方法》
7. 电源：
功 耗：< 15w，输入:220v±10% 50hz±2%
8. 本仪器工作条件为：
温 度： 0-40℃
相对湿度： ≥60%
工作室内应无强电磁场干扰，不与高频设备共用电源。
9. 外形尺寸：
主机 245mm（长）×220 mm（宽）×95mm（高）
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方块电阻：薄膜类导体、半导体材料截成薄层正方形时，平行对边间的电阻值只与材料的类别（电阻率）和厚度有关，而与正方形边长无关，这种单位面积的对边间的阻值可反映薄膜的导电特性和厚度信息，称为方块电阻，简称方阻。记为：r□，标准单位：ω/□
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[1]体电阻率测量：
当1、2、3、4四根金属探针排成一直线时，并以一定压力压在半导体材料上时，在1、4两根探针间通过电流i，则在2、3探针间产生电位差v。
（a）块状或棒状样品体电阻率测量：
由于块状或棒状样品外形尺寸远大于探针间距，符合半无穷大的边界条件，电阻
率值可以直接由（3—1）式求出。
（b）薄片电阻率测量 (以s1=s2=s3=1mm时，c≈0.628 cm为例)。
薄片样品因为其厚度与探针间距相近，不符合半无穷大边界条件，测量时要附加样品的厚度、形状和测量位置的修正系数。其电阻率值可由下面公式得出：
[3] 特薄膜或薄层的电阻率测量
由于薄片或膜，查表厚度修正系数误差较大，可按式（3-5）和（3-6），忽略形状修正可得薄膜电阻率ρ= r□*w, r□单位ω/□， w单位cm , ρ单位ω-cm （3-7）
四、使用方法
best-300c测试仪能够测量半导体材料体电阻率ρ、方块电阻（薄片电阻率）r口以及体电阻r，测量时需调整相应的修正系数和选择相应的功能。
本产品不但提供了电阻率ρ、方块电阻r口以及体电阻r测试的基本修正系数设定，还提供了产品厚度g、外形和测试位置的修正系数d设定，*的提高了测试精度。测试类别的快捷选择方式，方便了用户同时测试多个参数，提高测试效率。
4.1 操作概述：
（1）测试准备：
对于电阻器类样品，用四端子测试线按照图5-1连接好样品，对于半导体材料，测试前表面应进行必要的处理。如图5-2，对于硅材料要进行喷砂或清洁处理，对于薄膜类的要保持表面清洁，必要的要进行清洁。样品放在平整的台面上。将测试探头的插头与主机的输入插座连接起来，连接好探头和主机。将电源开关置于开启位置，数字显示亮。仪器要预热15分钟以上，增加读数稳定性。
开机默认的状态是测量模式，可按“模式”键“”切换到设定模式。仪器只有在设定模式下才接受相关参数设定功能。开机默认设定类别为电阻测试修正系数，可以根据需要切换设定系数类别和修改当前默认参数值。
在设定模式下仪器要设定的参数类别，由 “类别选择”键来选择，由显示窗口左位红色数码管显示；参数值由显示窗口右四位数码配合显示窗右侧单位指示来显示；参数大小由数码键盘输入。具体参数类别、符号、含义、取值范围
（3）测量数据
在设定模式下（设定完毕，保存好数据后），选择测量类别（电阻率ρ、方块电阻（薄片电阻率）r口或体电阻r中三选一，切换仪器到“测量”模式，窗口左侧“测量”模式灯亮。电阻测量,注意良好接触，电压测试端在内侧；半导体参数测试，将探针与样品良好接触，注意压力要适中；由数字显示窗直接读出测量值。
注意！测量状态中，电流量程默认为自动方式，也可调整为手动方式，手动方式下，电流量程适合的，仪器会稳定显示数据，电流量程不适合的会给出超量程或欠量程闪烁提示，对于超量程，说明电流过大，要调到较小电流档；对于欠量程，说明电流过小，要调到较大电流档。
4.2.设定修正系数注意事项：参照表5.1和附表1和附表2
(1) 电阻测量:
设定r=1.000。，其他可以忽略。只读结果。
(2) 棒状、块状样品电阻率测量，符合半无穷大的边界条件:
设定电阻率基本系数c，参照表5.1， 厚度修正g=1.000,形状位置修正d=1.000，只读结果。
(3) 薄片电阻率测量:
当薄片厚度与针距比w/s>0.5时， 设定电阻率基本系数c，参照表5.1，厚度修正g<1.000,形状位置修正d<1.000,具体值g（w/s）和d（d/s）要查附表1和附表2，只读结果。
当薄片厚度与针距比w/s<0.5时,可以先测方阻，再人工计算厚度和位置形状修正。
电阻率ρ=r口×w×d(d/s),式中w：样品厚度（cm）, d(d/s)查附表2。
(4) 方块电阻测量:
设定电阻率基本系数□：，参照表5.1，厚度修正g忽略，形状位置修正d<1.000, d（d/s）要查附表2，只读结果。
（3）数据输入规则说明及示例
(a) 修正系数
在半导体类电阻率或方阻测试中，如果修正系数计算值远小于1，为了显示读取更多有效数字，数据输入可采用准科学记数法，即有效数字取0.100≤x≤1.000，指数（单位）取值10-3～103。
修正系数设定示例：注意x为 ρ，口，r，g，d，分类界限值中的任意一个。
恒温恒湿试验机保养费用要多少钱
电子元器件所能承受的静电破坏的电压是多少
臭氧功能之脱色
智能电表的妙处
【应用方案】海道尔夫助力植物提取实验
四探针半导电阻测试仪
捷德电子疾控中心防爆红外照相机使用注意事项
DNA检测试剂盒广泛应用于医疗、法医和科研领域
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上海鹰牌衡器：电子地磅置零无反应是什么原因？
全自动采样清罐仪技术要求和检测方法
地埋式污水处理一体化设备怎么进行后期维护（做好这五点很重要）
美国G+F凸耳式蝶阀适用行业及使用注意事项
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500A大电流发生器技术说明
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在图像传感器晶片的研发中，Temporal dark noise是什么
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