电子元器件所能承受的静电破坏的电压是多少
电子器件所能承受静电破坏的静电电压是多少，相信大家都不知道吧，下面我们就一起来看看吧。
以下是一些参考资料中给出的数据：
器件类型
静电破坏电压(v)
器件类型
静电破坏电压(v)
vmos
30～1800
op-amp
190～2500
m0sfet
100～200
jeft
140～1000
gaasfet
100～300
scl
680～1000
prom
100
sttl
300～2500
cmos
250～2000
dtl
380～7000
hmos
50～500
肖特基二极管
300～3000
e／dmos
200～1000
双极型晶体管
380～7000
ecl
300～2500
石英压电晶体
＜10000
从上表可见大部分器件的静电破坏电压都在几百至几千伏，而在干燥的环境中人活动所产生的静电可达几千伏到几万伏。
要想获得某个元器件的所能能承受的静电电压要通过试验才能测得。按照国内标准，一般使用静电放电敏感度测试仪：
电子元器件静电敏感度的试验主要用ess-6008/ess-6002半导体静电放电模拟试验器，而用电子元器件组装成组件、整机的电子设备静电试验则用ess-s3011a/ess-b3011a/ess-l1611a静电放电模拟试验器来做试验。
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100～300
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300～2500
cmos
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dtl
380～7000
hmos
50～500
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e／dmos
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