美国 KRi 霍尔离子源不规则电子晶片蒸镀前清洗
美国kri霍尔离子源不规则电子晶片蒸镀前清洗
上海伯东美国kri 霍尔离子源eh 400 成功应用于蒸发镀膜机, 协助客户完成不规则电子晶片蒸镀前清洗, 经过清洗后的晶片镀膜, 膜层厚度均匀性及附着牢固度都明显提高.
kri霍尔离子源在不规则电子晶片蒸镀中的作用
设备: 进口蒸发镀膜机, 加装离子源
离子源型号: kri 霍尔离子源 eh 400
预清洁应用: 通过离子 ar 轰击晶片表面, 去除物理或化学吸附的污染物, 清洁后在进行蒸镀, 膜层厚度均匀性及附着牢固度都明显提高.
去除物理吸附污染: 去除晶片表面污染, 如水, 吸附气体, 碳氢化合物残留
去除化学吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100å
美国kri霍尔离子源eh 400特性
高离子束电流满足沉积率的临界到达比
低离子能量通过避免高能离子对表面和界面的轰击损伤而使产量更大化
宽束, 发散离子束通过均匀地覆盖沉积区从而增加每次加工零件数量来提高吞吐量
坚固耐用的模块化结构降低了备件耗材和维护时间, 减少维护成本和停机时间
无栅网, 紧凑设计, 方便加装, 提供离子辅助功能
kri霍尔离子源eh 400技术参数:
型号
eh 400
阳极
dc
阳极电流
5a
离子束流
>750ma
阳极电压范围
40-300v
离子能量范围
25-300ev
阳极功率
500w (辐射冷却)
气体
惰性气体和反应气体
气体流量
3-30 sccm
压力
< 1 x 10-3torr
离子束流直径
4cm φ
离子束发散角度
> 45° (hwhm)
阴极中和器
沉浸式或非沉浸式
高度
3.0” (7.62cm)
直径
3.7” (9.4cm)
上海伯东代理美国kri 离子源适用于安装在 mbe 分子束外延, 溅射和蒸发系统, pld 脉冲激光系统等, 在沉积前用离子轰击表面, 进行预清洁 pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等！上海伯东是美国kri 离子源中国总代理
1978 年 dr. kaufman 博士在美国创立 kaufman & robinson, inc 公司, 研发生产考夫曼离子源,霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经40 年改良及发展已取得多项成果.kri 离子源在真空环境中实现薄膜沉积, 干式纳米刻蚀和修改材料表面性能, 广泛用于离子清洗 pc, 离子蚀刻 ibe, 辅助镀膜 ibad, 离子溅射镀膜 ibsd 领域.
若您需要进一步的了解kri 离子源, 请参考以下联络方式
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高度
3.0” (7.62cm)
直径
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