铁电阻变材料的应用与发展前景

不同于铁电材料在极化翻转过程中产生的瞬态电流，铁电极化调制铁电材料内部电阻在2009 年以前鲜有报道，尚未有成熟的理论。传统意义上，当铁电材料的电阻值在绝缘体范围，铁电极化能够被翻转，同时伴随较大的瞬态极化电流，但是穿过铁电材料自身的稳态电流(比如漏电流) 非常微弱，此时无需考虑铁电极化与铁电材料自身稳态电流的耦合关系。当铁电材料的电阻值较小时，铁电极化难以翻转，即难以观测到铁电极化翻转与铁电材料自身稳态电流的耦合现象。2000 年前后julian 等人提出，如果铁电薄膜尺度在 5 nm 以下，电子可以在小于铁电矫顽场的电场作用下隧穿铁电薄膜，样品的电阻值较小，铁电薄膜的极化翻转将影响电子隧穿势能和隧穿电流。理论上，电子隧穿几率随铁电薄膜厚度的增加而指数降低，所以隧穿理论无法独立解释铁电极化如何调控10 nm 以上厚度铁电样品的稳态电流。2009 年以来，铁电极化调控铁电材料自身电阻有重大突破，揭开了这一领域快速发展的序幕。美国rut- gers university 大学的 choi 制备了 70 μm，单一铁电畴，具有半导体特征的bifeo3 单晶，他们发现电流 - 电场曲线具有单向电流特征，样品在光辐射条件下产生光伏电流，并且极化翻转可以调控单向电流和光伏效应(图 6)。法国 cnrs 国家实验室的 garcia 等发现，纳米级厚度的batio3 外延薄膜具有良好的铁电性，电子能够量子隧穿铁电薄膜，而且铁电薄膜的极化翻转引起隧穿势垒的变化，从而导致铁电薄膜极化翻转前后穿过铁电薄膜的隧穿电流剧烈变化，比如，在3 nm 的 batio3铁电薄膜中，铁电极化翻转可以导致薄膜的电阻变化750 倍(图 7)。进一步的研究发现在 2 nm-fe /1 nm- batio3 /30 nm-la0. 67 sr0. 33mno3 的“三明治”隧道磁电阻结构中，隧穿电流同时受到磁矩和铁电极化翻转的双重调控(图 8)。美国 oak ridge 国家实验室 peter 等发现，在30 ～ 50 nm pb ( zr0. 2 ti0. 8 ) o3，100 ～ 120 nm 的 (bi0. 875ca0. 125 )feo3薄膜中，铁电极化翻转导致样品的阻值变化高达500 倍，电流 - 电场曲线具有记忆功能和单向电流特征。加州伯克利的 ramesh 等人发现 bi1 - x caxfeo3 外延薄膜中氧空位是 n 型掺杂，ca 是 p 型掺杂，bi0. 875ca0. 125feo3 外延薄膜中可以同时存在 n 型、p型和p-n 结，铁电极化过程中容易引起氧空位迁徙，从而调控p-n 结和其电流特征。不同于铁电场效应管(通过铁电极化翻转引起 si 沟道内的载流子浓度和电阻变化)，铁电极化翻转改变其自身的稳态电流和电阻，目前尚不清楚铁电极化翻转如何调制材料自身的能带带隙、隧穿势垒、载流子、耗尽层等。先前的理论，无法完美解释上述论文报道的复杂多变的实验现象，相关作者也只是罗列了几种可能的解释。
虽然上述半导体二极管调制、光伏电流调制、电致电阻调制、隧道磁电阻调制等现象复杂多变、牵涉多种材料和异质结，但都是通过铁电极化翻转调控穿过铁电层自身的电子稳态输运过程，因此都属于“铁电极化—电子稳态输运”耦合范畴。
通过铁电极化调控电阻和磁电阻等电子的输运过程涉及多个领域: 纳米级铁电薄膜中电子的量子隧穿; 铁电极化调控类二极管的单向电流; 铁电极化调制光伏效应甚至非线性光学系数; 铁电极化诱导半导体耗尽层等。上述这些复杂的实验现象，可以总结为“铁电极化—电子稳态输运”耦合效应。这类现象比较复杂，也尚未有丰富的实验数据可供参考，因此当前的认识还比较模糊。总之，进一步探索新材料、新体系和深化相关物理机制的研究，将有助于人们把对“铁电极化—电子稳态输运”耦合的理解推进到更深更广的层次。

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