忆阻器英文名为memristor, 用符号m表示,与电阻r,电容c,电感l构成四种基本无源电路器件,它是连接磁通量与电荷之间关系的纽带,其同时具备电阻和存储的性能,是一种新一代高速存储单元,通常称为阻变存储器 (rram)。
忆阻器备受关注的重要应用领域包括:非易失存储 (nonvolatile memory),逻辑运算 (logiccomputing),以及类脑神经形态计算 (brain-inspired neuromorphic computing)等。这三种截然 不同又相互关联的技术路线,为发展信息存储与处理融合的新型计算体系架构,突破传统冯 • 诺伊曼架构瓶颈,提供了可行的路线。
在忆阻器研究不断取得新成果的同时,基于忆阻器的多功能耦合器件也成为研究人员关注的热点。这些新型耦合器件包括: 磁耦合器件、光耦合器件、超导耦合器件、相变忆阻器件、铁电耦合器件等。
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